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一种忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括至少一个忆阻单元，至少一个忆阻单元中的每个包括晶体管和至少一个忆阻元件，晶体管包括源极和漏极；至少一个忆阻元件中的每个包括第一电极、阻变层、第二电极以及钝化层，第一电极与源极或漏极电连接；阻变层在第一电极和第二电极之间；钝化层至少覆盖阻变层的侧壁。该钝化层可以避免阻变层和与其相邻的介质层或绝缘层之间产生离子相互扩散的问题，并且在忆阻器包括多个忆阻单元时，还可以避免忆多个阻单元在工作过程中产生串扰而对忆阻器的整体性能产生不良影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114256289 A
(43)申请公布日 2022.03.29
(21)申请号 202011001124.3
(22)申请日 2020.09.22
(71)申请人 清华大学
地址 10
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