RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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RCIGBT、生产RCIGBT的方法和控制半桥电路的方法。一种RCIGBT（1）包括具有IGBT区段（1‑21）和二极管区段（1‑22）的有源区（1‑2）。在RCIGBT（1）的多个控制沟槽（14、15）中，存在多个IGBT控制电极（141）和与IGBT控制电极（141）电绝缘的多个等离子体控制电极（151），IGBT控制电极（141）和等离子体控制电极（151）中的每个与RCIGBT（1）的两个负载端子（11、12）电隔离。IGBT区段（1‑21）包括IGBT控制电极（141）的第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256341 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111121396.1 H02M 1/088 (2006.01) (22)申请日 2