存储器的制造方法和存储器.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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存储器的制造方法和存储器.pdf

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本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器，存储器的制造方法包括：提供基底以及多个分立的初始位线接触结构，基底内具有多个有源区，且每一初始位线接触结构与有源区电连接；初始位线接触结构部分位于基底内；在初始位线接触结构的顶部形成伪位线结构；刻蚀初始位线接触结构，形成位线接触层，以及位于位线接触层的侧壁与基底之间的间隙；形成位于伪位线结构侧壁的第一介质层，且第一介质层还位于间隙正上方。如此，可以减小位线接触层与埋入式字线的寄生电容，从而提高存储器的运行速率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256156 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011018122.5 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人长鑫存储技术有限公司