一种新型的GaN基ESD保护电路.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种新型的GaN基ESD保护电路.pdf

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本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaNHEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成，利用增强型p‑GaNHEMT器件的栅漏二极管连接方式控制触发电压，并利用限流电阻控制漏电流和泄放电路，同时利用栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能显著降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256822 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111574406.7 (22)申请日 2021.12.21 (71)申请人电子科技大学地址