一种快速控制直拉单晶硅直径的方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种快速控制直拉单晶硅直径的方法.pdf

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本发明公开了一种快速控制直拉单晶硅直径的方法。该方法包括在单晶硅与石英坩埚之间增设可上下移动的挡板；在单晶等径生长过程中，当单晶硅直径较目标直径减小时，向下移动挡板至遮挡直径减小部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射减少，单晶硅直径增加；当单晶硅直径较目标直径增大时，向上移动挡板离开直径增大部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射增加，单晶硅直径减小。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的挡板实现对热辐射量的直接控制，从而快速改变相变界面周围的温度，以达到辅助拉速控制单晶直径的目的，减小甚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114250508 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111471742.9 (22)申请日 2021.12.02 (71)申请人山东有研艾斯半导体材料有限公司