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基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法.pdf

    本发明涉及一种基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法。本发明中的阵列单元由一个三值忆阻器Mi串联一个晶体Ti管组成。晶体管的导通电压为4V，记为VDD，三值忆阻器的三个稳定的阻值分别为RL、RM和RH。本发明设计了对三值忆阻器1T1M交叉阵列的复位和读写的方法，设计思路简洁，原理清晰，并且易于将该方法应用到相关领域中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300013 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111645487.5 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 杭州电子科技大学

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