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2023-05-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

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一种半导体装置包括：衬底，其具有沟槽；沟槽中的导电图案；间隔件结构，其位于导电图案的侧表面上；以及埋置接触件，其包括与导电图案通过间隔件结构间隔开并且填充接触凹部的第一部分以及第一部分上的第二部分，第二部分具有柱形，柱形的宽度小于第一部分的顶表面的宽度。间隔件结构包括：第一间隔件，其在埋置接触件的第一部分上沿着埋置接触件的第二部分延伸，并且接触埋置接触件；第二间隔件，其沿着第一间隔件延伸；以及第三间隔件，其沿着导电图案的侧表面和沟槽延伸，并且与第一间隔件通过第二间隔件间隔开，第一间隔件包括氧化硅

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334979 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111150523.0 (22)申请日 2021.09.29 (30)优先权数据 10-2020-0