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一种HKMG器件金属栅的构造方法及SRAM器件.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种HKMG器件金属栅的构造方法及SRAM器件.pdf

    本发明实施例公开了一种HKMG（HighkMetalGate）金属栅的构造方法及相关的SRAM器件；相关方法能有效阻挡HKMG金属栅中金属的扩散，改善SRAM的PPU管阈值电压Vt的中心与边缘差异和PPU的全局工艺偏差GV（GlobalVariation）；通过回刻等工艺，降低阻挡层金属薄膜对NMOS器件的影响；进而改善了HKMGSRAM器件的均匀性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300454 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111519836.9 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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