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雪崩光电二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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雪崩光电二极管及其制备方法.pdf

    一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管的第一类型衬底具有第一表面、第二表面和中心区；PN结形成于中心区中，PN结包括电性连接的第一类型区和第二类型区；第一类型电连接部、第二类型电连接部和第二类型电阻均形成于第一类型衬底中，且均位于第一类型衬底的沿厚度方向的表面；第一类型区和第二类型电阻均与第一类型电连接部电性连接，第二类型区与第二类型电连接部电性连接，第一类型电连接部和第二类型电连接部电性隔离；遮光层覆盖位于中心区的外周的第二表面，遮光层对应中心区处形成光入射口，反射层至少覆盖位于中心区

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300567 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111645424.X H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日 2

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