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一种基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器及其制备方法.pdf

    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于TaIrTe4/Si异质结的的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器是基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器，其结构为顶电极/TaIrTe4/Si异质结/板底电极，所述TaIrTe4/Si异质结是在Si/SiO2衬底上蚀刻Si窗口，使TaIrTe4纳米片与Si充分接触得到，在TaIrTe4/Si异质结外的TaIrTe4边缘制作顶电极。该器件在808nm照射下表现出光响应度、检测率高和快速响应速度。实现了从325nm到1550nm的宽带敏感检测区域，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300555 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111495137.5 (22)申请日 2021.12.08 (71)申请人 华南师

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