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一种高分辨率Micro-LED微显示器件的高容差铟柱及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种高分辨率Micro-LED微显示器件的高容差铟柱及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种高分辨率Micro‑LED微显示器件的高容差铟柱的制备方法及用该方法制备的铟柱。首先在芯片表面旋涂一层负性光刻胶，对准LED或驱动电路像素电极中心开展一次套刻，制备方形凸点金属沉积孔，通过电子束蒸发蒸镀复合金属膜，采用湿法剥离的方式获得凸点金属面阵；然后，在芯片表面旋涂一层厚的负性光刻胶，对准凸点金属图形中心开展二次套刻，制备方形的铟柱沉积孔，再通过真空热蒸发沉积铟层；最后，采用机械减薄的方法将制备好铟层的芯片减薄至一定厚度，使得光刻胶上无铟层，且光刻胶表面与边上的铟层表面处于同一

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300604 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111609458.3 C23C 14/58 (2006.01) (22)申请日 2

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