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半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于北京
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半导体器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体器件，包括：基底，基底上形成有选择开关晶体管；第一介质层，位于基底上，且覆盖选择开关晶体管；电容，位于第一介质层的上表面，包括下电极、电容介质层及上电极，电容介质层覆盖下电极的上表面及侧面，上电极覆盖电容介质层的上表面和侧面，下电极与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层的上表面，且覆盖电容；金属层，位于第二介质层的上表面；金属层至少包括板线，板线与电容电连接。由于电容的面积同时包括了下电极的上表面及侧面所在面，相较于传统的电容多出了下电极侧面所在的电容面积，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334971 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011062708.1 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 无锡华润微电子有限公司

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