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一种降低晶片表面硅残留的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种降低晶片表面硅残留的方法.pdf

    本发明公开了一种降低晶片表面硅残留的方法，属于半导体技术领域。本发明的一种降低晶片表面硅残留的方法，包括以下步骤：(1)将表面活性剂和强碱弱酸盐溶于去离子水中，得晶片清洗液；(2)用晶片清洗液处理晶片后并用去离子水冲洗；(3)用HF水溶液处理晶片后并用去离子水冲洗；(4)用碱性溶液处理晶片后并用去离子水冲洗，接着干燥冲洗后的晶片；本发明先用表面活性剂和强碱弱酸盐对晶片进行初步清洗，接着再依次酸洗、碱洗，此种清洗方法组合能够在尽可能少用量的清洗剂下有效的降低晶片表面的硅浓度、提升晶片的清洗质量、保

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300340 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111638679.3 C11D 11/00 (2006.01) (22)申请日 2

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