一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一基底、层叠在基底上的第一绝缘叠层、层叠在第一绝缘叠层上的第二绝缘叠层。第一绝缘叠层中开设有第一接触孔，第一接触孔内从下向上填充有堆置接触塞，堆置接触塞未填满第一接触孔。第二绝缘叠层中开设有与第一接触孔连通的第二接触孔。还包括形成在第二绝缘叠层上方的下电极，下电极还向下依次延伸到第二接触孔及第一接触孔内与堆置接触塞接触。将形成在两个绝缘叠层上方的下电极还向下延伸到第一接触孔及第二接触孔内与保留的堆置接触塞接触，使与堆置接触塞接触的部分下电极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334977 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011081808.9 (22)申请日 2020.10.10 (71)申请人中国科学院微电子研究所