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一种IGBT高导热封装结构及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种IGBT高导热封装结构及制备方法.pdf

    一种IGBT高导热封装结构及制备方法。提供了一种提高绝缘衬底的导热率，同时具有低成本优势，可以应用于大功率的IGBT器件或功率模块的一种IGBT高导热封装结构及制备方法。包括自下而上依次叠合的基板、绝缘衬底基板和芯片，其特征在于，所述绝缘衬底基板包括自下而上依次键合的下金属层、绝缘衬底和上金属层；所述绝缘衬底包括第一绝缘衬底基片和若干第二绝缘衬底基片；所述第一绝缘衬底基片上设有若干圆形通孔；若干所述第二绝缘衬底基片呈圆形结构，与所述圆形通孔相适配，嵌于所述圆形通孔内。本发明既可以提高绝缘衬底的散

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300419 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111516331.7 (22)申请日 2021.12.09 (71)申请人 扬州扬杰电子科技股份有限公司

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