具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法.pdf

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本发明提供一种具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法，垂直浮空场板中包括浮空场板多晶硅层及叠层结构，叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且叠层结构的最外层及最内层均为绝缘材料层；本发明在具有较小尺寸的垂直浮空场板中，通过设置具有极化作用的铁电材料层，可使得：关态时，铁电材料层的极化作用能够增强“电荷共享”效应，以获得更高的击穿电压；通态时，铁电材料层的极化作用可在漂移区诱导更多的电子，以降低导通电阻，从而实现在提高击穿电压的同时有效降低导通电阻。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335163 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011064546.5 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人芯恩（青岛）集成电路有限公司