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一种SONOS存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种SONOS存储器及其制备方法.pdf

    在本发明提供的一种SONOS存储器及其制备方法中，包括：衬底，所述衬底内具有浅槽隔离结构及有源区，所述浅槽隔离结构用于隔离所述有源区，至少部分所述浅槽隔离结构顶面的高度低于所述有源区顶面的高度，所述有源区顶面呈波浪形、锯齿形或方波形；ONO层，位于所述衬底上且顺形覆盖所述浅槽隔离结构及所述有源区；栅极多晶硅层，位于所述ONO层上。通过使部分所述浅槽隔离结构的高度低于所述有源区的高度使所述有源区的部分侧壁裸露，或增加所述有源区上表面的面积，以增加所述ONO层与所述有源区的有效接触面积，进而增强SO

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300460 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111629478.7 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

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