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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构,包括晶体管单元,所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管,所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管,所述第一传输管的沟道由第一鳍式结构形成,所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道由第二鳍式结构形成,所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道由第三鳍式结构形成,所述第二传输管的沟道由第四鳍式结构形成,所述第一方向平行于所述第二方向,紧凑的器件排布,降低了所占面积,节约制造成本。本发明还提供了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300455 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111528228.4
(22)申请日 2021.12.14
(71)申请人 复旦大学
地址 20
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