半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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该发明公开了一种半导体器件的及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有字线结构，位线支撑层包括第一氧化物层和第一氮化层，位线结构形成在第一氮化物层内，第一氧化物层形成在位线结构两侧且位于第一氮化物层内；图形化支撑结构以在位线支撑层内形成与位线结构对应的第一通孔；沿第一通孔刻蚀位线支撑层至预设高度，调节刻蚀参数和刻蚀气体对氧化物层和氮化物层的选择刻蚀比，并对位线支撑层继续刻蚀，直至暴露位线结构，以在位线结构的上方形成聚合物层，聚合物层形成在第一通孔的部分侧壁上且位于位线结构的两侧。所述制备

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334833 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011049179.1 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人长鑫存储技术有限公司