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LED的制备方法及LED外延片.pdfVIP

LED的制备方法及LED外延片.pdf

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    本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284403 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111625701.0 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 中国科学院半导体研究所

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