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本发明提供了一种过压保护电路及装置,该电路包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及电平转化电路;当该外部信号端的电压高于该目标芯片的承载电压时,该电平转化电路输出预设电压;该预设电压与该外部信号端的电压存在压差,控制该第五PMOS管和该第六PMOS管导通,该第二PMOS管和该第四PMOS管关闭,以实现该目标芯片的过压保护。该电路只通过单一种类的耐高压PMOS管就可以实现芯片的过压保护,从而降低对NMOS器件的工艺的依赖。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284990 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111636041.6
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 南京英锐创电子科技有限公司
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