半导体器件、具有其的三维存储器及存储系统.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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半导体器件、具有其的三维存储器及存储系统.pdf

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本申请提供了一种半导体器件、具有其的三维存储器及存储系统。该半导体器件包括：半导体衬底；多个晶体管结构，沿第一方向间隔设置于半导体衬底的一侧，各晶体管结构包括栅极、栅介质层和源/漏区，栅介质层和栅极层叠设置于半导体衬底表面，源/漏区位于栅极两侧的半导体衬底中，且位于栅极同一侧的相邻源/漏区沿第一方向延伸后不重叠；多个导电通道，设置于半导体衬底上，且导电通道与位于栅极两侧的源/漏区连接设置。本申请能够在保证半导体器件整体工艺版图面积不变的情况下，使源/漏区尺寸沿各晶体管结构的排列方向进一步延伸，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361159 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210039306.2 H01L 27/11578 (2017.01)