鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法.pdf

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本发明提供了一种鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组；形成隔离膜，填充鳍片及鳍组；形成图形化的掩模层，其开口暴露鳍组间的隔离膜；利用图形化的掩模层，打断至少部分隔离膜的分子键；对隔离膜执行热处理；去除预设深度的隔离膜，以暴露的鳍片为鳍结构。本发明中，通过打断至少部分鳍组间的隔离膜的分子键，从而调整鳍组间的隔离膜在热处理时的膨胀率，使得经过热处理后，鳍组内的鳍片两侧的隔离膜的应力较为均衡，从而改善鳍片的弯曲或倾斜的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334658 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111643230.6 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中