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本发明提供一种刻蚀方法,用于对硅衬底表面的沟槽中的金属层进行刻蚀。待加工的硅衬底表面开设有至少一个沟槽,且在硅衬底表面和沟槽的表面覆盖有连接层;并且在连接层上设置有金属层,金属层包括覆盖在沟槽上方以及位于沟槽周围的连接层上方的第一部分,以及填充在沟槽中的第二部分;该刻蚀方法包括以下步骤:S1、对金属层的第一部分进行刻蚀,直至连接层表面暴露;S2、在金属层和连接层上沉积满足预设平面度的辅助层,辅助层覆盖金属层和连接层;S3、沿沟槽的深度增加的方向并以相同的刻蚀速度对辅助层、金属层和连接层刻蚀预设深
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114361027 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202111524197.5
(22)申请日 2021.12.14
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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