一种石墨烯PN结半导体制冷片及制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种石墨烯PN结半导体制冷片及制备方法.pdf

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本发明涉及半导体制冷技术领域，具体涉及一种石墨烯p‑n结半导体制冷片及制备方法，石墨烯p‑n结半导体制冷片是采用CVD法在铜箔上生长出石墨烯，将石墨烯分别进行p型、n型掺杂，再将石墨烯pn结转移到陶瓷平板半导体制冷元件上，得到石墨烯pn结半导体制冷片；方法包括CVD法制备石墨烯，铜箔上石墨烯的转移，石墨烯p‑n结与陶瓷平板半导体制冷元件的复合，以及石墨烯p‑n结半导体制冷片与导热硅脂片的粘合。利用本发明制备的石墨烯pn结半导体制冷片能快速均匀地散出热量，通过调整掺杂剂的种类可改变制冷片的性能。本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114394587 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202111517983.2 (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人广东