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本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括:基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构;发光结构位于基板的表面,第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构均位于发光结构的远离基板的表面,第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接;第一焊点块和第二焊点块间隔分布,缓冲结构位于第一焊点块和第二焊点块之间,缓冲结构部分嵌入第一焊点块内,部分嵌入第二焊点块内,第一焊点块和第二焊点块均与缓冲结构绝缘。本公开实施例能改善芯片上两焊点块之间区域因受应力
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388673 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111489498.9
(22)申请日 2021.12.08
(71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司
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