半导体结构及测试方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体结构及测试方法.pdf

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本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法，半导体结构包括：衬底；至少一个硅通孔，硅通孔设置于衬底中，且与第一探测垫电性连接；至少一个接触结构，接触结构的底部延伸到衬底内部，且与第二探测垫电性连接；第一探测垫和第二探测垫位于衬底上方且相邻间隔设置；掺杂层，掺杂层位于衬底内部，且在接触结构的底部与接触结构电性连接。本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法用于检测硅通孔的漏电状态。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373739 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202210036449.8 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人长鑫存储技术有限公司