基于调制解析的半导体功率器件功率损耗及结温计算方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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基于调制解析的半导体功率器件功率损耗及结温计算方法.pdf

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本发明属于IGBT变流模块功率损耗计算及电热特性分析技术领域，具体为基于调制解析的半导体功率器件功率损耗及结温计算方法，解决了背景技术中的技术问题，其根据电力电子拓扑及调制方式来建立电流脉冲，根据调制方式解析方法获取的脉冲电流数据可计算脉冲形式的损耗波动，计算一个周期内的脉冲损耗，脉冲损耗输入Foster热网络模型，进而计算波动结温。本发明避免了不同调制方式下占空比计算困难问题，所算损耗具有更好的精度，且能体现损耗在一个正弦波周期内的波动；以脉冲波动损耗为输入，以forster热网络模型为结温计

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114398756 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202111503871.1 G06F 17/10 (2006.01)