一种改善EL黑边的方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种改善EL黑边的方法.pdf

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本发明属于单晶硅电池技术领域，具体涉及一种改善EL黑边的方法，选择性发射极SE技术在绘图时，对两侧边缘的三根细栅线进行双线雕刻。目前选择性发射极(SE)技术在绘图时，细栅线均采用单线进行雕刻，本发明设计的新图形是通过把边缘三根细栅线进行双线雕刻，在不影响产能的情况下，可以有效降低EL黑边的问题，减少不良品的产生，提升良率。本发明设计方案在现有激光掺杂设备上均是可完全兼容，不会增加成本，并且在工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420794 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210125165.6 (22)申请日 2022.02.10 (71)申请人江西中弘晶能科技有限公司