一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于四川
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一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法，包括衬底、固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应设置。本发明垂直自旋转移矩磁性随机存储器由STT‑MRAM在竖向上堆叠组合，在相同占地面积下，可存储双倍或更多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114429967 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202210089178.2 (22)申请日 2022.01.25 (71)申请人上海