半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层，相邻牺牲层之间具有第一开口；在第一开口底部和侧壁表面、牺牲层顶部表面形成侧墙材料层；在侧墙材料层表面形成保护层；在保护层上形成第一图形化层，第一图形化层内具有第一图形化开口，第一图形化开口暴露出其中一个或多个第一开口；在暴露出的第一开口内形成阻挡层,阻挡层的顶部表面低于牺牲层的顶部表面；去除保护层；去除第一开口底部表面和牺牲层顶部表面的侧墙材料层；去除牺牲层，在剩余侧墙材料层之间形成第二开

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446781 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202011197598.X (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限