半导体三极管放大电路用27学时.pptxVIP

第1页/共147页半导体三极管放大电路用27学时第2页/共147页第三章 半导体三极管及放大电路基础 对你的期望： （1）掌握三极管工作原理，输入及输出特性； （2）熟悉放大、饱和、截止三种工作状态及特点； （3）了解三极管主要参数及其物理意义； （4）掌握放大电路组成、原理及分析方法； （5）熟悉放大电路三种基本组态；第3页/共147页第三章 半导体三极管及放大电路基础 §3.1 半导体三极管§3.2 共射极放大电路 §3.3 放大电路的分析方法 §3.4 放大电路工作点稳定问题 §3.5 共集电极放大电路与共基极放大电路§3.6 差分放大电路§3.7 多级放大电路第4页/共147页3.1 半导体三极管3.1.1 基本结构及符号3. 1. 2 电流分配和放大原理3.1.3 特性曲线3.1.4 主要参数3.1.5 温度对晶体管参数的影响3.1.6 三极管的选择及使用注意事项第5页/共147页CCICICPNP型BB发射极集电极IBIBIEIENPNPPN基极EEECB3.1 半导体三极管3.1.1基本结构及符号NPN型集电极发射极EC基极BNPN型三极管符号：PNP型三极管第6页/共147页集电极C基极NPBNE发射极结构特点：集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低集电结发射结发射区：掺杂浓度最高第7页/共147页CRCNRBPBNECEBE3. 1. 2 电流分配和放大原理1. 三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看： NPN 发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB第8页/共147页ICmAIB?AmA+VCCRBIE––+VCC实验线路第9页/共147页IB(mA)0.040.0600.020.080.102.303.103.950.701.50IC(mA)0.0010.721.542.363.184.05IE(mA)0.0012. 各电极电流关系及电流放大作用结论:1）三电极电流关系IE = IB + IC2） IC ?? IB ， IC ? IE 静态(直流)电流放大系数:动态(交流)电流放大系数:第10页/共147页3) 当IB=0(基极开路)时, IC=ICEO,很小接近于０。4) 要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置，集电极必须反偏。 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。第11页/共147页3、三极管三种组态１共发射极：发射极作为公共端，用CE表示。２共基极：基极作为公共端，用CB表示。３共集电极：集电极作为公共端，用CC表示；第12页/共147页3.1.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线第13页/共147页ICmAIB+?A++UCEVCCRBUBE–VV–––+VCC 测量晶体管特性的实验线路输出回路输入回路共发射极电路　发射极是输入回路、输出回路的公共端 第14页/共147页IB(?A)80UCE?1V604020UBE(V)0.40.81. 输入特性特点:非线性正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7VPNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。第15页/共147页IC(mA )100?A480?A360?A240?A1036129UCE(V)2. 输出特性输出特性曲线通常分三个工作区：(1) 放大区放大区—曲线基本平行部分　条件：发射结正偏， 集电结反偏。　　特点： VCE较大　iC = ? iB 放大区20?AIB=0第16页/共147页IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0036912UCE(V)（2）截止区IB =0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。截止区ICEO第17页/共147页饱和区——iC受vCE显著控制的 区域。特点：该区域内vCE的数值较小。 一般vCE＜0.7 V(硅管)。 饱和压降 VCES =IC(mA )100?A480?A360?A0.3V Si240?A0.1V Ge120?AIB=0ICS ? iB外电路决定036912UCE(V)（3）饱和区饱和区条件：发射结正偏，集电结正偏（或零偏）。 第18页/共147页思 考 题　1NPN、