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本发明公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。选择P型硅片；在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，形成PN结结构；去除氧化层后，在P型硅片进行N+击穿区正面、背面磷预扩散；在P型硅片形成环状钝化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497233 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202111652146.0
(22)申请日 2021.12.31
(71)申请人 江苏吉莱微电子股份有限公司
地址
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