1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其形成方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约2.09万字
  • 约 18页
  • 2023-05-09 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部、覆盖所述鳍部表面的栅介质层、以及横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层覆盖所述栅介质层的部分顶部和部分侧壁，所述栅极层露出的栅介质层内掺杂有氮离子；在所述栅极层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述栅极层两侧的鳍部，在所述栅极层两侧的鳍部内形成凹槽；在所述凹槽内形成源漏掺杂层。本发明实施例能够降低所述侧墙底部的栅介质层发生损耗的概率，从而有利于降低所述凹槽内的源漏掺杂层与所述栅极层发生短接的概率，进而有利

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110896033 A (43)申请公布日 2020.03.20 (21)申请号 20181

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >