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一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器.pdfVIP

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  • 2023-05-09 发布于北京
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一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器.pdf

    本发明涉及手性分子探测技术领域，具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极置于绝缘层的底部，拓扑绝缘体层置于绝缘层上，源极和漏极置于拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间，同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时，手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明，不需要应用光谱仪等设备，成本低，在手性分子探测方面具有良好的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114486751 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210127459.2 (22)申请日 2022.02.11 (71)申请人 浙江树人学院（浙江树人大学） 地址

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