集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法.pdf

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本公开涉及一种铁电场效应晶体管器件。铁电场效应晶体管器件包括具有第一侧和第二侧的铁电结构。栅极结构沿铁电结构的第一侧设置，并且氧化物半导体沿铁电结构的第二侧设置。氧化物半导体具有第一半导体类型。源极区域和漏极区域设置在氧化物半导体上。栅极结构横向介于源极区域和漏极区域之间。极化增强结构在源极区域和漏极区域之间布置在氧化物半导体上。极化增强结构包括具有不同于第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。本发明的实施例还涉及集成芯片及形成铁电场效应晶体管器件的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497072 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210016373.2 (22)申请日 2022.01.07 (30)优先权数据