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制造半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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制造半导体器件的方法.pdf

    本公开涉及制造半导体器件的方法。一种方法，包括：在半导体鳍上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，形成第一层间电介质，其中，栅极间隔件和虚设栅极堆叠位于第一层间电介质中，去除虚设栅极堆叠以在栅极间隔件之间形成沟槽，在沟槽中形成替换栅极堆叠，以及沉积电介质帽盖层。电介质帽盖层的底表面接触替换栅极堆叠的第一顶表面和第一层间电介质的第二顶表面。在电介质帽盖层之上沉积第二层间电介质。形成延伸到第二层间电介质、电介质帽盖层和第一层间电介质中的源极/漏极接触插塞。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520189 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202110478868.2 (22)申请日 2021.04.29 (30)优先权数据 63/137,201 2021

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