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一种非接触式半导体电性故障分析法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种非接触式半导体电性故障分析法.pdf

    本发明公开了一种非接触式半导体电性故障分析法，利用一包含探针、电流放大器、反馈控制器及计算机的扫描穿隧式显微镜以非接触方式半导体样品的表面方式进行电性故障分析，其特征在于扫描穿隧式显微镜的探针放置于相对于半导体样品表面的(+)Z轴方向，施加一偏压于扫描穿隧显微镜的探针与半导体样品之间以产生一穿隧电流后沿相对于半导体样品表面的X、Y轴方向进行扫描且同时侦测半导体样品的表面所量测到的穿隧电流，穿隧电流经放大后被送到计算机进行分析，便可获得半导体样品的表面的结构轮廓、判断半导体样品中的半导体组件的电性

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114518516 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202110748761.5 (22)申请日 2021.07.02 (30)优先权数据 109140324 2020.

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