图像传感器及其制作方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.44万字
  • 约 13页
  • 2023-05-10 发布于四川
  • 举报
本公开是关于一种图像传感器及其制作方法,其中方法包括:在基底的部分区域注入第一类半导体离子,以在基底表面形成第一区域和原始区域;在所述第一区域上制作氧化层,以在第一区域表面形成氧化区和有源区;在所述有源区内注入第一类半导体离子,调整所述有源区的阈值电压;在所述有源区制作第一类场效应管和第二类场效应管,并在所述原始区域制作二极管,以及在所述第一区域和所述原始区域制作连接所述有源区和所述二极管的第一多晶硅层;在所述第一区域和所述原始区域上制作隔离层、以及嵌设于所述隔离层内的第一金属层和第二金属层。本

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072686 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111288507.8 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人 北京小米移动软件有限公司 地址

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档