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量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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量子点发光二极管及其制备方法.pdf

    本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括第一功能层、第二功能层以及设置在所述第一功能层和所述第二功能层之间的量子点层，所述量子点层由表面结合有第一配体和第二配体的量子点形成，所述第一配体位于所述第一功能层所在一侧，所述第一配体的极性与所述第一功能层的极性相同，所述第二配体位于所述第二功能层所在一侧，所述第二配体的极性与所述第二功能层的极性相同。本发明通过上述方式，在保持原有量子点荧光效率不损失的前提下，有效改善量子点层与功能层之间的相容性，减小量子点层与功能层间的表面

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520290 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011294178.3 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司 地址

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