具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件.pdf

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本发明公开一种具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件，包括，一p‑金属电极、一n‑金属电极层、一高反射镀膜层以及一抗反射镀膜层，设置于该具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件上。一电致吸收光调变器(EAM)具有EAM量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)。一分布式反馈激光(DFBLaser)具有DFB量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)或砷化铟镓铝(InGaAlAs)。其中，当该EAM量子阱的应变‑0.2％，且该分布式反馈激光产生一横向电场模式偏振光(TE模式的光)，该横向电场模式偏振

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114545701 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202011330910.8 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人华星光通科技股份有限公司地址中