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半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体器件和方法.pdf

    本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件，包括：第一半导体条带，在衬底之上，第一半导体条带包括第一沟道区域；第二半导体条带，在衬底之上，第二半导体条带包括第二沟道区域；电介质条带，设置在第一半导体条带和第二半导体条带之间，电介质条带的宽度沿着远离衬底延伸的第一方向减小，电介质条带包括空隙；以及栅极结构，沿着第一沟道区域、沿着第二沟道区域、并且沿着电介质条带的顶表面和侧壁延伸。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520228 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202110285205.9 (22)申请日 2021.03.17 (30)优先权数据 17/150,018 2021

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