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- 2023-05-10 发布于四川
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本申请涉及利用富陷阱层增强的隔离沟槽，揭示了具有电性隔离的半导体结构以及形成具有电性隔离的半导体结构的方法。包含介电材料的浅沟槽隔离区设置于半导体衬底中。沟槽延伸穿过该浅沟槽隔离区并延伸至位于该浅沟槽隔离区下方的该半导体衬底中的沟槽底部。介电层至少部分地填充该沟槽。布置于该半导体衬底中的多晶区包括设置于该沟槽底部下方的部分。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520185 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202111375901.5 H01L 27/088 (2006.01)
(22)申请日 2021.11
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