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一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法。所述光电探测器器件包括间隙带隙半导体形成的N型衬底、间隙带隙半导体形成的掺杂区域和间隙带隙半导体形成的P型区域，掺杂区域位于N型衬底和P型区域之间，且掺杂区域形成位于价带和导带之间的杂带。本发明降低工作电压，提高增益和效率，在3V工作电压时增益和APD在30V电压下的增益相当，并把附加噪声系数降低到APD的2％左右。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520270 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011305577.5 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人 苏州华太电子技术有限公司 地址 2

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