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本公开是关于一种具有熔丝结构及反熔丝结构的半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层,及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链,及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻设置于该第一电极的一第三电极,及将该第一电极自该第一介电层与该第三电极分开的一第二介电层。该第一电极、该熔丝链、及该第二电极形成一熔丝结构,而该第一电极、该第三电极、及该第二介电层位于该第一电极与该第三电极之间的一部分形成一反熔丝结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512466 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202110911583.3
(22)申请日 2021.08.10
(30)优先权数据
16/950,518 2020
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