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LED外延片、制备方法及半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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LED外延片、制备方法及半导体器件.pdf

    本发明公开了一种LED外延片的制备方法，包括：S1、提供一衬底；S2、在衬底上生长氮化物缓冲层；S3、在氮化物缓冲层上生长非掺杂氮化物层；S4、在非掺杂氮化物成上生长n型氮化物层；S5、在n型氮化物层上生长插入层单元，插入层单元包括依次生长的前置氮化物插入层、氧化物插入层和后置氮化物插入层；S6、在插入层单元上生长量子阱发光层；S7、在量子阱发光层上生长p型层。本发明的LED外延片的制备方法通过氧化物插入层的高势垒对电子减速，缓冲电子对发光层的注入，降低电子越过发光层对p型层空穴的复合，改善大电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520279 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210102726.0 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人 江苏第三代半导体研究院有限公司 地址

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