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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开涉及沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽和半导体条带。该半导体条带的侧壁暴露于沟槽。该方法还包括沉积延伸到沟槽中的含硅层，其中，该含硅层在半导体条带的侧壁上延伸；用电介质材料填充沟槽，其中，电介质材料位于含硅层的侧壁上；以及氧化含硅层以形成内衬。该内衬包括氧化的硅。该内衬和电介质材料形成隔离区域的一些部分。该隔离区域凹陷，使得所述半导体条带中突出高于隔离区域的顶表面的部分形成半导体鳍。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520149 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202110306927.8
(22)申请日 2021.03.23
(30)优先权数据
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