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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底上形成绝缘膜GF1，并且在绝缘膜GF1上形成硅膜PS1。去除晶体管形成区1C中的硅膜PS1和绝缘膜GF1，并且留下晶体管形成区1B中的硅膜PS1和绝缘膜GF1。在晶体管形成区1C中的半导体衬底上形成绝缘膜GF2。在绝缘膜GF2和硅膜PS1上形成含Hf膜HA，并且在含Hf膜HA上形成硅膜PS2。然后，通过图案化硅膜PS2来形成栅极电极GE2，并且通过图案化硅膜PS1来形成栅极电极GE1。栅极电极GE下方的栅极绝缘膜TF1由绝缘膜GF1形成，并且栅极电极G
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520190 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202111338049.4 H01L 27/11568 (2017.01)
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