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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种增强型MIS‑GaN器件，用于解决现有增强型GaN器件存在的如阈值电压低、栅压摆幅窄、栅极漏电大、阈值电压受p‑GaN或p‑AlGaN掺杂浓度影响等诸多问题。本发明利用宽禁带P型或N型半导体耗尽其下方的高浓度二维电子气，同时，在宽禁带半导体上设置介质层、介质层上设置金属栅电极，从而形成宽禁带半导体层/绝缘介质层/金属栅极的三层特殊MIS结构；基于该特殊MIS结构，使得本发明增强型MIS‑GaN器件具有阈值电压高、栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520262 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210146339.7
(22)申请日 2022.02.17
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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