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用于晶圆级封装的共晶键合方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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用于晶圆级封装的共晶键合方法.pdf

    本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072521 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111283824.0 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人 上海新微技术研发中心有限公司 地址

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